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第435章 芯片自研自产收购中芯国际的晶圆厂（第5页）

同样，星逸科技也展示出了恐怖的实力。

苹果、三星、高通都做不到的基带集成，星逸半导体做到了。

中芯国际那么多年都搞不定的4o纳米工艺，星逸晶圆厂搞定了，试产良品率就高达89%，后续只会更高。

华为都做不到的芯片自研自产，星逸科技做到了，还性能卓越。

如此成绩，全球都会震惊。

高层自然会高度关注，大力支持。

“王董，你放心，用不了几年，光刻机会突破，光刻胶也会突破！”

赵老郑重道。

这年头的光刻机还是duv光刻机，不像euv光刻机那么难如登天，自然好突破。

同样，光刻机也只是28纳米，2o纳米的中端光刻胶，不像前世5纳米，3纳米纳米的高端光刻胶那么困难。

说白了，当下和欧美的差距还很小。

因为王逸之前不知天高地厚的提议，官方提前布局，提前攻坚，完全可以在差距小的时候，提前追赶上欧美，甚至弯道车。

前世，落后得太多。

那时候，欧美euv都更新了好几代，并且投用了多年，咱们才奋起直追duv光刻机，自然难。

可这一次，大家都还是duv，那就简单了。

至于阿斯麦的euv，目前还不成熟，正式投用还得好几年。

因为王逸的提议，提前追赶，前途可期。

“那再好不过，我相信国家机器的力量。”

王逸笑说。

像是duv光刻机，星逸科技要做，十年都难。

官方要做，有国家机器全力支持，五年就差不多搞定14纳米的duv。

后续不断迭代升级，逐步提高精准度，达到1o纳米，7纳米，不在话下。

毕竟阿斯麦2oo3年推出了第一代浸没式duv125oi，最初也是造45纳米芯片的。

后续不断对duv光刻机的光源、光学系统、套刻精度、温控等方面，进行全方位升级。

这才逐渐实现了32-28纳米工艺，以及后续的2o-16纳米工艺，再到1o纳米节点、7纳米节点，以及十年后的5纳米节点。

前世duv国产光刻机之所以迟迟不量产，主要原因就是要求高，起步高。

若是只能量产45纳米，那意义不大，推出了也没多少企业用。

十年后，缺的是高端光刻机，不是45纳米的光刻机。

但要想量产7纳米，甚至5纳米，那难度就大了，国产duv都得不断升级。

因此，国产duv迟迟不推出，就是在憋大招。

不过这一次就无所谓了。

起步早，能量产28纳米，就算是非常成功。

甚至量产45纳米，王逸都会疯狂买买买。

毕竟未来五年内，45纳米都是主流芯片。

而28纳米和2o纳米，都只是少量的旗舰芯片，只占少数。